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CO₂
二氧化碳
孤对电子
原子
几何形状分析
化学式
CO₂
二氧化碳
电子对数
2
2 成键 /0 孤对
电子几何形状
直线形
分子几何形状
直线形
键角
180°
两个双键充当两个有效的成键域, 碳原子上没有孤对电子
💡 VSEPR 原理
电子对相互排斥：孤对电子的排斥力比成键电子对强，通常会迫使键角小于理想几何形状
选择分子13 个选项
2 对 (直线型)
3 对 (平面三角形)
4 对 (四面体)
5 对 (三角双锥)
6 对 (八面体)
📚 掌握 VSEPR 理论
学习预测分子形状和理解键角的规则。
关键概念
VSEPR 理论
价层电子对互斥理论：电子群相互排斥并尽可能远离
孤对电子排斥
孤对电子比成键电子对占据更多空间，通常会压缩相邻键角（例如将理想的 109.5° 压缩至水分子的 104.5°）
电子与分子几何
电子几何形状包括所有电子对；分子几何形状仅描述原子的排列
理解 VSEPR 理论
**价层电子对互斥 (VSEPR) 理论**是化学中用来根据中心原子周围的电子对（成键对和孤对）数量预测分子几何形状的科学模型。
该理论的核心前提是，电子对带负电并相互排斥，它们会尽可能远离地排列在中心原子周围，以最大限度地减少这种排斥并决定分子的 3D 形状。
通过可视化成键对和孤对的排斥效应，我们可以直接预测分子的极性、反应性和物理性质。
常见分子几何形状
| 电子域 | 成键对 | 孤对 | 分子形状 | 理想键角 |
|---|---|---|---|---|
| 2 | 2 | 0 | 直线形 | 180° |
| 3 | 3 | 0 | 平面三角形 | 120° |
| 3 | 2 | 1 | V 形 / 弯曲形 | < 120° |
| 4 | 4 | 0 | 正四面体 | 109.5° |
| 4 | 3 | 1 | 三角锥形 | < 109.5° |
| 4 | 2 | 2 | V 形 / 弯曲形 | << 109.5° |
| 5 | 5 | 0 | 三角双锥 | 90°, 120° |
| 6 | 6 | 0 | 八面体 | 90° |
